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南大光电 股票详细信息
涨停原因
日期 | 时间 | 事件 | 原因 |
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2024-10-08 | 09:25:00 | 涨停 | 芯片 光刻胶+第三代半导体。1、公司在193nm浸没式光刻胶产品开发方面处于领先地位。公司三氟化氮的扩产进度也根据市场情况及时调整。三氟化氮主要用于半导体制造工艺中的腔体清洗环节,用量大。2、公司“年产45吨半导体先进制程用前驱体产品产业化项目”和“年产140吨高纯磷烷、砷烷扩产及砷烷技改项目”已建设完成,拟实施结项。公司电子级磷烷、砷烷技术水平已达到全球领先的7N级别,销量方面业已成为国内电子级磷烷、砷烷的第一大供应商。3、公司部分MO源产品可应用于第三代半导体,如低硅低氧三甲基铝是第三代半导体的关键材料。4、公司主要从事先进前驱体材料、电子特气、光刻胶及配套材料三类半导体材料产品生产、研发和销售。 |
跌停原因
日期 | 时间 | 事件 | 原因 |
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暂无数据 |
所属概念
加入时间 | 获得概念 | 入选原因 |
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2023-08-02 | 非周期股 | 公司属于半导体材料(通达信研究行业) |
2023-05-19 | 存储芯片 | 公司已有两款ArF光刻胶产品分别在下游客户存储芯片50nm和逻辑芯片55om技术节点上通过认证,并实现少量销售。 |
2023-03-15 | 第四代半导体 | 公司是全球主要的MO源供应商,部分产品可以用于制备氧化镓。 |
2021-08-13 | 专精特新 | 公司已入选工信部国家级专精特新小巨人企业名单。 |
2021-06-08 | 无实控人 | 截止2023-12-31,公司无实控人且无控股股东 |
2020-12-03 | 罗素中盘 | 公司符合罗素中盘股标准 |
2020-09-07 | 第三代半导体 | 公司MO源产品如三甲基镓、三乙基镓产品是氮化镓的上游材料 |
2020-02-14 | 氮化镓 | 公司MO源产品如三甲基镓、三乙基镓产品是氮化镓的上游材料 |
2019-12-30 | 基金增仓 | 截止2024-09-30,基金持仓2416.38万股(增仓687.83万股),增仓占流通股本比例为1.34% |
2019-07-17 | 光刻机 | 子公司宁波南大光电负责组织实施“ArF光刻胶开发和产业化项目”,研发的产品成为国内通过产品验证的第一只国产ArF光刻胶。 |
2019-07-02 | 氟概念 | 公司拟在淄博市高青县投资扩建含氟电子特种气体项目 |
2019-05-27 | 中芯国际概念 | 公司收购的山东飞源气体有限公司向中芯国际供货的主要产品是三氟化氮 |
2018-06-14 | 并购重组预案 | 公司发行股份购买、协议转让全椒南大光电材料有限公司16.5398%股权 |
2017-12-12 | 砷化镓 | 公司研发的砷烷、磷烷是砷化镓半导体的必备材料 |
2017-11-23 | 大基金持股 | 截止2023-07-28,国家集成电路产业投资基金二期股份有限公司持有宁波南大光电材料有限公司18.330%的股权 |
2017-10-13 | 华为概念 | 公司的客户包括华为等 |
2017-05-16 | 江苏板块 | 公司注册地址:江苏省苏州工业园区胜浦平胜路67号 |
2015-07-03 | 含可转债 | 南电转债(123170)于2022-12-15上市 |
2013-08-01 | 工业气体 | 公司主营涉及特气产品与MO源产品 |
2012-12-04 | OLED概念 | 公司三甲基镓主要应用于LED外延片生产 |
2012-09-24 | 集成电路 | 公司研发的ArF光刻胶是集成电路制造领域的重要关键材料,可以用于 90nm-14nm 甚至7nm技术节点的集成电路制造工艺,广泛应用于高端芯片制造。 |
2011-03-31 | 绿色照明 | 公司产品主要应用于半导体集成电路和照明芯片 |
2011-03-09 | 芯片 | 公司研发的ArF光刻胶是芯片制造领域的重要关键材料,可以用于90nm-14nm甚至7nm技术节点的芯片制造工艺。 |