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拓荆科技 股票详细信息

股票TS码: 688072.SH 板块:电子设备-半导体-集成电路 历史行情数据      拓荆科技历史龙虎榜

地区:辽宁 行业:制造业-专用设备制造业

全名:拓荆科技股份有限公司

K线图 实时图

涨停原因

日期 时间 事件 原因
2025-07-18 -- 超涨10% 半导体    公司所属行业为:半导体
2025-03-06 -- 超涨10% 存储芯片    渠道SSD存储价格连涨两周,国产企业级SSD有望迎增量机遇
2025-02-25 -- 超涨10% 芯片    公司开发的Thermal-ALD设备,可以进行多种薄膜工艺的集成组合,并已取得客户订单。
2025-02-06 -- 超涨10% 半导体    公司所属行业为:半导体
2024-11-11 -- 超涨10% 芯片    中芯国际第三季度收入创历史新高
2024-11-08 -- 超涨10% 先进封装    台积电CoWoS封装产能供不应求,先进封装持续高景气
2024-10-21 -- 超涨10% 芯片    台积电电话会:上调全年营收指引至30%
2024-10-18 -- 超涨10% 先进封装    台积电:今年CoWoS产能大增逾2倍,仍供不应求
2024-10-08 09:25:03 涨停 芯片    中芯国际港股假期大涨近60%,半导体高弹性板块或迎大反弹机会
2024-09-30 -- 超涨10% 半导体    公司所属行业为:半导体
2024-02-29 -- 超涨10% 业绩预升    半导体薄膜沉积设备+ PECVD+年报增长。1、公司产品已经进入国内60多条产线。公司研制的ALD设备系列产品包括PE-ALD设备和Thermal-ALD设备,PE-ALD设备已实现量产,Thermal-ALD设备已出货至不同客户端进行验证,SACVD和HDPCVD设备均已实现产业化。2、公司主要从事半导体薄膜沉积设备,已广泛应用于国内晶圆厂14nm及以上制程集成电路制造产线,并已展开10nm及以下制程产品验证测试。3、公司是国内唯一一家产业化应用的集成电路PECVD设备厂商,最高可适配14nm逻辑芯片、17nmDRAM及128层FLASH制造工艺需求。4、公司供应中芯国际、华虹集团等。公司拟投资7.5亿,用于高端半导体设备扩产项目、先进半导体设备的技术研发与改进项目、ALD设备研发与产业化项目。5、2024年2月26日公告,公司2023年净利润6.65亿元,同比增长80.38%,变动由营收增长等引起。
2024-02-06 -- 超涨10% 业绩预升    公司2024-01-23公告:预计2023-12-31财报业绩大幅上升
2023-09-28 -- 超涨10% 半导体    半导体设备板块走强

跌停原因

日期 时间 事件 原因
2024-11-15 -- 超跌10% 个股调整   
2024-10-10 -- 超跌10% 个股调整   
2023-08-29 -- 超跌10% 第二季度净利下降    公司2023-08-28晚公告:拓荆科技第二季度单季净利润同比减40.96%

所属概念

加入时间 获得概念 入选原因
2024-12-03 美国管制实体清单 美国拜登政府12月2日发布了最新的对华半导体出口管制措施,将136家中国实体列入所谓“实体清单”,公司在其中
2023-08-31 国新投资持股 截止2025-03-31,国新投资有限公司在十大流通股东中排第9名
2023-08-02 非周期股 公司属于半导体设备(通达信研究行业)
2023-05-19 存储芯片 公司PECVD设备主要应用于国内28nm及以上的集成电路逻辑芯片、存储芯片制造及先进封装领域。
2022-08-05 先进封装 公司PECVD设备主要应用于国内28nm及以上的集成电路逻辑芯片、存储芯片制造及先进封装领域
2021-06-08 无实控人 截止2024-12-31,公司无实控人且无控股股东
2019-12-30 基金减仓 截止2025-03-31,基金持仓4432.70万股(减仓-2534.79万股),减仓占流通股本比例为16.33%
2017-11-23 大基金持股 截止2023-06-30,国家集成电路产业投资基金股份有限公司持股比例占公司总股本的19.86%
2017-06-21 MSCI成份 MSCI成分股
2017-05-16 辽宁板块 公司注册地址:辽宁省沈阳市浑南区水家900号
2017-05-16 股东减持 公司股东近一个月内累计减持-172.17万股
2017-05-16 基金重仓 截止2025-03-31,基金重仓持有4432.70万股(69.82亿元)
2017-05-16 百元股 截止2025-08-21收盘价为:173.22元,近5个交易日最高价为:177.55元
2011-03-09 芯片 公司主要产品包括等离子体增强化学气相沉积(PECVD)设备、次常压化学气相沉积(SACVD)设备。