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华润微 股票详细信息
涨停原因
日期 | 时间 | 事件 | 原因 |
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2024-10-08 | 09:25:08 | 涨停 | 芯片 IGBT+半导体。1、公司是中国领先的拥有芯片设计、晶圆制造、封装测试等全产业链一体化经营能力的半导体企业,产品聚焦于功率半导体、智能传感器与智能控制领域,为客户提供丰富的半导体产品与系统解决方案。2、公司收购重庆华微少数股权,助力业绩更进一步;募投项目8英寸高端传感器和功率半导体建设项目在无锡现有的公司子公司无锡华润上华科技公司8英寸晶圆厂区和厂房内进行扩充实施,两条8英寸线产能约为133万片/年,后续技术升级会有一部分产能的扩充。 |
跌停原因
日期 | 时间 | 事件 | 原因 |
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暂无数据 |
所属概念
加入时间 | 获得概念 | 入选原因 |
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2023-11-20 | 国企改革 | 公司属于国有企业 |
2023-08-02 | 非周期股 | 公司属于功率半导体(通达信研究行业) |
2022-08-05 | 先进封装 | 公司开发的面板级扇出封装技术,采用载板级RDL加工方案,是Chiplet封装的基础工艺。 |
2022-06-09 | 比亚迪概念 | 公司持续加大在汽车电子方面的布局,公司的MOSFET、IGBT产品已经进入汽车电子应用,比亚迪是客户之一。 |
2021-12-21 | 汽车芯片 | 公司IGBT产品广泛应用于比亚迪等国内汽车。 |
2021-07-21 | MCU芯片 | 公司自主研发的采用国产32位CPU IP的MCU产品实现客户导入,并持续开发系列化产品方案 |
2020-12-03 | MSCI中盘 | 公司符合MSCI中盘股标准 |
2020-09-07 | 第三代半导体 | 公司向市场投入1200V和650VI业级SiC肖特基二极管功率器件产品系列。 |
2020-05-18 | EDA概念 | 公司在互动平台上表示,公司有EDA设计软件 |
2020-02-14 | 氮化镓 | 公司开展硅基氮化镓的研发工作 |
2019-09-20 | 消费电子概念 | 公司终端产品应用于通讯、物联网、消费电子、汽车电子等诸多领域 |
2019-07-26 | 转板A股 | 华润微电子:【00597:2004-08-13至2011-11-02】于2020-02-27在上交所上市 |
2018-02-23 | 宁德时代概念 | 公司在互动易平台表示公司与宁德时代在动力电池领域有业务合作。 |
2017-11-23 | 大基金持股 | 截止2023-06-30,国家集成电路产业投资基金股份有限公司持股比例占公司总股本的4.92% |
2017-05-16 | 江苏板块 | 公司注册地址:Conyers Trust Company(Cayman) Limited, Cricket Square, Hutchins Drive, Grand Cayman, Cayman Islands |
2017-05-16 | 大盘股 | 截止2024-11-20公司AB股总市值为:701.46亿元 |
2016-11-12 | 小米概念 | 公司与小米科技有相关业务合作 |
2015-07-20 | 物联网 | 公司物联网应用专用 IC 包括烟雾报警 IC 和 MEMS 信号采样处理 Sensor Hub IC |
2015-07-11 | 智能电网 | 公司产品主要包括智能电网及 AC-DC、电动工具、LED 照明、电源、电机驱动、无线充电等 |
2015-03-06 | 工业互联 | 公司产品可应用于工业互联网领域 |
2014-07-16 | 央企改革 | 控股股东为中国华润有限公司 |
2014-05-15 | 汽车电子 | 公司目前在汽车电子方面的应用主要是车载逆变器、车灯照明与驱动、车载充电、车载音响等。目前公司已通过收购杰群电子科技(东莞)有限公司70%股权切入汽车级电子封装。 |
2013-10-09 | 华润系 | 中国华润有限公司是公司实际控制人 |
2013-05-31 | 碳化硅 | 公司向市场投入1200V和650VI业级SiC肖特基二极管功率器件产品系列。 |
2012-09-24 | 集成电路 | 子公司润新微电子专注于GaN的外延和工艺技术研发,产品主要应用于电源管理、逆变器等。 |
2012-09-19 | 传感器 | 公司募投项目8英寸高端传感器和功率半导体建设项目已经开始陆续释放产能,MEMS产品包括硅麦克风、压力、测温、光电和温湿度等传感器。 |
2011-11-17 | 充电桩 | 公司碳化硅产品等应用于新能源汽车充电桩,科士达是公司客户之-。 |
2011-03-31 | IGBT | 公司在IGBT器件和制造工艺领域积累了多项具有自主知识产权的核心技术,相关产品进入工业控制领域,并被批量采用 |
2011-03-09 | 芯片 | 公司自主研发的平面型1200V SiC MOSFET进入风险量产阶段,静态技术参数达到国外对标样品水平。 |