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锴威特 股票详细信息
涨停原因
| 日期 | 时间 | 事件 | 原因 |
|---|---|---|---|
| 2025-03-25 | 00:00:00 | 超涨10% | 半导体 公司所属行业为：半导体 |
| 2025-03-12 | 00:00:00 | 超涨10% | 半导体 公司所属行业为：半导体 |
| 2025-03-11 | 00:00:00 | 超涨10% | 半导体 公司所属行业为：半导体 |
| 2024-12-20 | 10:00:43 | 涨停 | 半导体 ASIC算力芯片受关注|公司主要产品包含功率器件及功率IC两大类；在功率器件方面，公司产品以高压平面MOSFET为主，在功率IC方面，公司产品主要包括PWM控制IC和栅极驱动IC |
| 2024-11-08 | 00:00:00 | 超涨10% | 芯片 公司的功率器件以平面MOSFET为主，平面MOSFET产品包括集成快恢复高压功率MOSFET（FRMOS）系列产品。 |
| 2024-10-24 | 11:09:27 | 涨停 | 芯片 行业开启密集并购；高层强调推进中国式现代化，科技要打头阵；公司主要产品包含功率器件及功率IC两大类；在功率器件方面，公司产品以高压平面MOSFET为主，在功率IC方面，公司产品主要包括PWM控制IC和栅极驱动IC |
| 2024-10-21 | 00:00:00 | 超涨10% | 芯片 台积电电话会：上调全年营收指引至30% |
| 2024-10-18 | 13:58:09 | 涨停 | 半导体 公司所属行业为：半导体 |
| 2024-10-08 | 09:25:08 | 涨停 | 芯片 中芯国际港股假期大涨近60%，半导体高弹性板块或迎大反弹机会 |
| 2024-09-30 | 14:50:36 | 曾涨停 | 半导体 公司所属行业为：半导体 |
| 2024-09-27 | 00:00:00 | 超涨10% | 半导体 公司所属行业为：半导体 |
| 2024-07-31 | 00:00:00 | 超涨10% | 芯片 AI驱动+需求回暖，中国半导体产业有望保持高速增长 |
| 2024-07-19 | 10:06:17 | 涨停 | 芯片 全会提出教育、科技、人才是中国式现代化的基础性、战略性支撑；美国考虑施压日本荷兰芯片贸易，外交部表示希望有关国家坚决抵制胁迫 |
| 2024-06-20 | 09:44:44 | 涨停 | 半导体+次新股 公司主营业务为功率半导体的设计、研发和销售，并提供相关技术服务 |
| 2024-06-18 | 09:46:11 | 涨停 | 芯片 功率半导体应用广阔，目前处于行业周期底部 |
| 2024-06-17 | 00:00:00 | 超涨10% | 芯片 功率器件+新能源+智能机器人。1、公司是一家以高性能功率器件研发与销售为主的技术驱动型半导体企业，是国内少数具备从专利到量产完整经验的高性能功率器件设计公司之一。公司的主要产品包括 GreenMOS 系列高压超级结MOSFET、SFGMOS 系列等。2、公司基于自主专利技术开发出的 650V等电压平台的多种 TGBT 器件，已批量进入光伏逆变、储能、直流充电桩等客户。3、公司应用于工业级及汽车级领域的产品实现了国产化替代，基于自主专利技术开发出的 Si2C MOSFET 器件通过多个客户验证并进入批量状态，可以用于新能源汽车车载充电机等领域。4、公司产品可以应用于以智能机器人等为代表的人工智能领域。 |
| 2024-06-14 | 09:36:41 | 涨停 | 碳化硅 功率器件+充电桩+智能机器人。1、公司是一家以高性能功率器件研发与销售为主的技术驱动型半导体企业，是国内少数具备从专利到量产完整经验的高性能功率器件设计公司之一。公司的主要产品包括 GreenMOS 系列高压超级结 MOSFET、SFGMOS 系列等。2、公司基于自主专利技术开发出的 650V等电压平台的多种 TGBT 器件，已批量进入光伏逆变、储能、直流充电桩等客户。3、公司应用于工业级及汽车级领域的产品实现了国产化替代，基于自主专利技术开发出的 Si2C MOSFET 器件通过多个客户验证并进入批量状态，可以用于新能源汽车车载充电机等领域。4、公司产品可以应用于以智能机器人等为代表的人工智能领域。 |
| 2024-06-13 | 09:58:32 | 涨停 | 第三代半导体 公司在第三代半导体器件方面，利用掌握的“短沟道碳化硅MOSFET器件系列产品沟道控制及其制造技术”实现了SiC MOSFET稳定的性能和优良的良率控制。 |
| 2024-05-30 | 00:00:00 | 超涨10% | 芯片 功率半导体设计+芯片。1、据Yole的预测，工业自动化、通信技术、光伏、新能源车等渗透率不断提升，功率器件将维持长期增长，预计到2026年，全球功率市场将达到262.74亿美元；公司所处的功率半导体赛道，仍有巨大增长潜力。公司是采用Fabless经营模式的芯片设计公司，主营业务为功率半导体的研产销。2、公司掌握了功率半导体芯片的前端设计技术，自主搭建了多个功率半导体细分产品的技术平台。在高可靠性、工业控制和消费电子三大领域，拥有700余款产品，广泛应用于小米、美的、上能电气等企业。3、公司产品以高压平面MOSFET（40-1500V电压段覆盖）为主，在FRMOS（市场份额国产第四）、SiCMOS（国内少数覆盖650V-1700V产品设计）等其他细分MOSFET领域处于行业前列。4、高可靠领域主要包括宇航、军工、汽车、电力、轨交、石油化工等精度及其他要求较高的应用领域，公司在该领域主要布局了功率IC产品，另外包括少部分功率器件产品。 |
| 2024-02-08 | 00:00:00 | 超涨10% | 芯片 公司的功率器件以平面MOSFET为主，平面MOSFET产品包括集成快恢复高压功率MOSFET（FRMOS）系列产品。 |
| 2023-10-19 | 00:00:00 | 超涨10% | 半导体+芯片 美国芯片出口管制升级，芯片半导体板块走高 |
| 2023-09-08 | 00:00:00 | 超涨10% | 半导体 芯片迈向先进制程，我国半导体掩膜版市场规模加速提升 |
| 2023-08-31 | 00:00:00 | 超涨10% | 半导体+次新股 荷兰先进半导体制造设备出口管制9月1日起正式生效，半导体板块继续活跃；公司于2023-08-18在上交所科创板上市 |
| 2023-08-29 | 00:00:00 | 超涨10% | 次新股+芯片 公司于2023-08-18在上交所科创板上市；台厂加速转单，大陆有望主导驱动芯片代工市场，芯片板块震荡反弹；AI+半导体持续催化，半导体周期拐点将现，半导体板块震荡反弹 |
| 2023-08-28 | 00:00:00 | 超涨10% | 芯片 英伟达业绩再超预期，盘后股价大涨 |
跌停原因
| 日期 | 时间 | 事件 | 原因 |
|---|---|---|---|
| 2024-12-31 | 00:00:00 | 超跌10% | 个股调整 |
| 2024-11-01 | 00:00:00 | 超跌10% | 个股调整 |
| 2024-10-09 | 00:00:00 | 超跌10% | 个股调整 |
| 2024-06-24 | 00:00:00 | 超跌10% | 个股调整 |
| 2024-04-16 | 00:00:00 | 超跌10% | 个股调整 |
| 2024-02-28 | 00:00:00 | 超跌10% | 个股调整 |
| 2024-02-05 | 10:51:37 | 曾跌停 | 个股调整 |
| 2024-02-02 | 00:00:00 | 超跌10% | 个股调整 |
| 2023-09-07 | 00:00:00 | 超跌10% | 半导体板块调整 半导体板块震荡调整 |
| 2023-08-25 | 00:00:00 | 超跌10% | 个股调整 |
所属概念
| 加入时间 | 获得概念 | 入选原因 |
|---|---|---|
| 2025-01-13 | 微小盘股 | 截止2025-04-02公司AB股总市值为：24.54亿元 |
| 2023-08-29 | 不可减持(新规) | 公司近20个交易日内跌破发行价，依照减持新规，控股股东和实际控制人不可减持。 |
| 2022-11-30 | 摩根中国A股基金持股 | 截止2024-09-30,MORGAN STANLEY & CO. INTERNATIONAL PLC.在十大流通股东中排第10名 |
| 2021-08-13 | 专精特新 | 公司已入选工信部国家级专精特新小巨人企业名单。 |
| 2020-09-07 | 第三代半导体 | 公司在第三代半导体器件方面，利用掌握的“短沟道碳化硅MOSFET器件系列产品沟道控制及其制造技术”实现了SiC MOSFET稳定的性能和优良的良率控制。 |
| 2019-10-23 | 业绩预亏 | 公司2025-01-25公告:2024-12-31业绩预亏 |
| 2019-06-29 | 境外知名投行持股 | 截止2024-09-30,法国巴黎银行-自有资金在十大流通股东中排第4名 |
| 2018-02-28 | 破发行价 | 截止2025-04-02,公司收盘价相对于发行价跌幅为：-17.90% |
| 2017-05-16 | 两年新股 | 公司于2023-08-18上市，发行价：40.83元 |
| 2017-05-16 | 江苏板块 | 公司注册地址：江苏省张家港市杨舍镇华昌路10号沙洲湖科创园B2幢01室 |
| 2017-05-16 | 高贝塔值 | 截止2025-04-02,最新贝塔值为:2.99 |
| 2013-05-31 | 碳化硅 | 公司在第三代半导体器件方面，利用掌握的“短沟道碳化硅MOSFET器件系列产品沟道控制及其制造技术”实现了SiC MOSFET稳定的性能和优良的良率控制。 |
| 2011-05-25 | 回购计划 | 公司拟回购不超过2000万元(34.69万股),回购期:2024-12-16至2025-12-15 |
| 2011-03-09 | 芯片 | 公司的功率器件以平面MOSFET为主，平面MOSFET产品包括集成快恢复高压功率MOSFET（FRMOS）系列产品。 |