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拉普拉斯 股票详细信息
涨停原因
日期 | 时间 | 事件 | 原因 |
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暂无数据 |
跌停原因
日期 | 时间 | 事件 | 原因 |
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暂无数据 |
所属概念
加入时间 | 获得概念 | 入选原因 |
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2024-06-20 | 科创板次新 | 公司于2024-10-29在科创板上市 |
2021-08-13 | 专精特新 | 公司已入选工信部国家级专精特新小巨人企业名单 |
2020-09-07 | 第三代半导体 | 公司持续对高温氧化设备和高温退火设备进行开发与优化,可适用于SiC基半导体器件生产工艺; |
2019-08-16 | 融资增加 | 截止2024-11-19公司融资余额相对于5个交易日前增加额占流通市值比例为:2.75% |
2017-08-31 | 近端次新 | 公司于20241029上市。 |
2017-05-16 | 深圳板块 | 公司注册地址:广东省深圳市坪山区坑梓街道吉康路1号 |
2015-05-26 | 次新股 | 公司于2024-10-29在上交所科创板上市 |
2013-05-31 | 碳化硅 | 公司持续对高温氧化设备和高温退火设备进行开发与优化,可适用于SiC基半导体器件生产工艺; |
2011-03-14 | 光伏 | 公司的主要产品是光伏电池片设备、半导体分立器件设备、配套核心零部件。 |
2011-03-09 | 芯片 | 公司LPCVD设备可满足氮化硅/氧化硅/多晶硅(Poly-Si)/非晶硅(α-Si)薄膜沉积技术的应用需求,并适用于半导体分立器件的生产 |